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这样的人，不可能轻易倒戈。
但他也清楚，真正理想主义者往往最容易被“真相”
击穿防线。
他打开邮箱，新建一封邮件，收件人留空，主题写着：“关于1997年MIT那篇未发表论文的后续推导”
。
正文只有两行：
>“你在第三节忽略了量子隧穿效应对载流子迁移率的影响。
>现在我有了实验数据。”
发送按钮悬停片刻，最终没有按下。
他知道，现在还不是时候。
克兰的问题不只是技术分歧，更是信任崩塌后的心理重建。
贸然联系，只会让他警觉甚至反击。
必须等一个契机??一个足以动摇他对“美国科技霸权正当性”
信念的事件。
而这个契机，或许正悄然酝酿。
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三天后，上海张江科学城。
一场名为“下一代宽禁带半导体国际论坛”
的会议正在举行。
会场外挂着中英双语横幅，安保严密，参会者需刷脸+指纹双重验证。
这不是普通学术交流，而是研究院牵头组织的首次“非公开技术路演”
，邀请对象均为全球顶尖功率器件专家，包括三位IEEE终身会士、两名诺奖提名者，以及……德国英飞凌前CTO汉斯?穆勒。
林舒遥作为项目协调人，在后台监控各环节进展。
她刚接到翟达短信：“确保汉斯单独留宿，今晚八点，静安香格里拉B座顶层套房安排茶叙。”
她皱眉。
翟达从未如此明确地指定私人会面，尤其对象还是个素来亲美的欧洲技术官僚。
晚上七点五十分，一辆黑色奔驰驶入酒店地下车库。
汉斯戴着鸭舌帽和墨镜，神情谨慎。
电梯直达顶层，门开瞬间，他看到翟达正站在露台边煮茶，身后是整片浦西璀璨夜景。
“你喜欢大吉岭？”
翟达头也不回地问。
汉斯一怔，“你怎么知道？”
“你去年在慕尼黑演讲时提过，说这是你祖父留给你的唯一习惯。”
翟达转身，递上一杯琥珀色茶汤，“我知道你这次来中国很冒险。
英飞凌董事会已经对你与中方频繁接触提出质疑，甚至有人怀疑你泄露了IGBT第七代设计蓝图。”
汉斯冷笑：“你们研究院的动作太快了。
三个月前还只是买设备、招人，现在居然能做出接近FinFET结构的碳化硅MOSFET原型？我不信你们没拿到我们的核心技术。”
翟达坐下，慢条斯理地说：“你说得对，我们确实用了你们的技术。”
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